VS-2EFU06-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | VS-2EFU06-M3/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.67 |
10+ | $1.496 |
100+ | $1.2023 |
500+ | $0.9878 |
1000+ | $0.8786 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 2 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-219AB (SMF) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | FRED Pt® |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 55 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-219AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 3 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 2A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | 2EFU06 |
VS-2EFU06-M3/I Einzelheiten PDF [English] | VS-2EFU06-M3/I PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
VS-2EFH02HM3 VISHAY
VISHAY DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
VISHAY DO-219AB
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
VS-2EFH01HM3 VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
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VS-2EFU06HM3 VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VS-2EFU06-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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